電晶體模型之分類

在 model 中常見的名詞：

• SVT：standard threshold voltage
• LVT：low threshold voltage
• HVT：high threshold voltage
• Native：threshold voltage approaches 0V
• Overdrive：通常在較先進製程中，元件所能承受的電壓也較小，但可以透過加大 Lmin (最小 channel length)，使元件能夠承受較高的電壓。
• Underdrive：類似於 overdrive，在相同製程中，由於某些電路區塊的電壓較低，可以放寬 Lmin 的限制，讓元件的 channel length 可以小一點。

模擬製程偏移對電路的影響

在做電路模擬時，通常有以下幾種不同的模擬情境：

1. Total corner
2. Global corner + Local MC
3. Local MC only
4. Global MC + Local MC

Total Corner

電路中所有的電晶體都會套用同一種 corner 的電晶體 Vth。一般在模擬時，至少須包含以下幾種 corner：TT、SS、FF、SF、FS，其中的 T、S、F 分別代表電晶體的速度為 typical、slow、fast，前者為 NMOS，後者為 PMOS。

Global Corner + Local MC

首先我們從 TT、SS、FF、SF、FS 中選定一個 corner，所有電晶體 Vth 的平均值就由這個選定的 corner 來決定，而每一個電晶體又會依此平均值而產生製程偏移。

Local MC Only

所有電晶體 Vth 的平均值都是 TT corner，但每一個電晶體會依此平均值產生製程偏移。

Global MC + Local MC

每一個電晶體的 Vth 可能落在不同的 corner 當中。

Reference

https://community.cadence.com/cadence_technology_forums/f/custom-ic-design/20466/monte-carlo-simulation-global-local-vs-local-and-process-vs-mismatch